Test and reliability of Magnetic RAM (MRAM) memories

Test et fiabilité des mémoires MRAM De nos jours, les mémoires occupent une grande superficie en silicium dans les System-on-Chip. Très largement utilisés, les mémoires Flash non volatiles présentent encore plusieurs inconvénients. Les MRAMs permettent de répondre à toutes les problématiques liées aux Flash. Cependant, elles sont sujettes à des défauts comme tout autre type de mémoire. Très peu de travaux portent sur le test de MRAM et la recherche effectuée dans ce domaine vise principalement la première génération de mémoires magnétiques. Dans ce travail, la physique derrière la modélisation MTJ est abordée. Cette compréhension est le point de départ pour développer un modèle fiable. Le MTJ est l'élément de base pour les technologies MRAM. L'injection de défauts résistif ouvert, résistif courts-circuits et capacitives ont été réalisées dans le but d'analyser les mécanismes de défaillance spécifiques de la TAS-MRAM. Un test du type march spécifique est proposé à l'aide des résultats d'analyses d'injection de défauts et de l'association de chaque mécanisme de défaillance à un modèle de défaut fonctionnel spécifique. L'évolution du TAS-MRAM est la MRAM à base MLU qui est également développée par Crocus Technology. Finalement, un modèle MLU-MTJ sera élaboré et discuté.