Search engine for discovering works of Art, research articles, and books related to Art and Culture
Javascript must be enabled to continue!
Optimizing Control Factors for Threshold Voltage and Leakage Current in 32 nm PMOS Transistors with the Taguchi Method
View through CrossRef
تستخدم هذه الدراسة طريقة تاغوتشي لتحسين عوامل التحكم من أجل تحقيق خصائص استجابة مثلى، مع التركيز بشكل خاص على جهد العتبة (Vth) وتيار التسرب (Ileak) لترانزستور PMOS بطول بوابة يبلغ 32 نانومتر. يتضمن تصميم ترانزستور PMOS مادة ذات سماحية عالية (high-k) كطبقة عازلة، ومواد بوابة مثل ثاني أكسيد التيتانيوم (TiO2) وسيليسيد التنجستن (WSiX). يتم تحسين عوامل التحكم في تصميم جهاز PMOS باستخدام مصفوفة تاغوتشي المتعامدة، مع تحليل نسبة الإشارة إلى الضوضاء (SNR) باستخدام أسلوب "الأفضل هو الاسمي" (NTB) لجهد العتبة (Vth) وأسلوب "الأصغر هو الأفضل" (STB) لتيار التسرب (Ileak). تم النظر في أربعة عوامل تحكم تصنيعية وعاملين من عوامل الضوضاء من أجل تحسين خصائص الاستجابة وتحديد أفضل مجموعة من معلمات التصميم. يكشف التحليل أن زاوية ميل الحقن بالهالة (Halo implantation tilting angle) تمارس التأثير الأكثر أهمية، حيث تبلغ نسبة تأثيرها 55.52% على نسبة الإشارة إلى الضوضاء (SNR) لتيار التسرب (Ileak). تُظهر الدراسة أن قيم جهد العتبة (Vth) تتباين بشكل ضئيل للغاية، بمتوسط قيمة يبلغ حوالي 0.289 فولت ± 12.7%، بينما يظل تيار التسرب (Ileak) أقل من 100 نانو أمبير/ميكرومتر، وهو ما يتوافق مع التوقعات الموضحة في خارطة الطريق الدولية لأشباه الموصلات (ITRS).
College of Engineering Technology - Janzour
Title: Optimizing Control Factors for Threshold Voltage and Leakage Current in 32 nm PMOS Transistors with the Taguchi Method
Description:
تستخدم هذه الدراسة طريقة تاغوتشي لتحسين عوامل التحكم من أجل تحقيق خصائص استجابة مثلى، مع التركيز بشكل خاص على جهد العتبة (Vth) وتيار التسرب (Ileak) لترانزستور PMOS بطول بوابة يبلغ 32 نانومتر.
يتضمن تصميم ترانزستور PMOS مادة ذات سماحية عالية (high-k) كطبقة عازلة، ومواد بوابة مثل ثاني أكسيد التيتانيوم (TiO2) وسيليسيد التنجستن (WSiX).
يتم تحسين عوامل التحكم في تصميم جهاز PMOS باستخدام مصفوفة تاغوتشي المتعامدة، مع تحليل نسبة الإشارة إلى الضوضاء (SNR) باستخدام أسلوب "الأفضل هو الاسمي" (NTB) لجهد العتبة (Vth) وأسلوب "الأصغر هو الأفضل" (STB) لتيار التسرب (Ileak).
تم النظر في أربعة عوامل تحكم تصنيعية وعاملين من عوامل الضوضاء من أجل تحسين خصائص الاستجابة وتحديد أفضل مجموعة من معلمات التصميم.
يكشف التحليل أن زاوية ميل الحقن بالهالة (Halo implantation tilting angle) تمارس التأثير الأكثر أهمية، حيث تبلغ نسبة تأثيرها 55.
52% على نسبة الإشارة إلى الضوضاء (SNR) لتيار التسرب (Ileak).
تُظهر الدراسة أن قيم جهد العتبة (Vth) تتباين بشكل ضئيل للغاية، بمتوسط قيمة يبلغ حوالي 0.
289 فولت ± 12.
7%، بينما يظل تيار التسرب (Ileak) أقل من 100 نانو أمبير/ميكرومتر، وهو ما يتوافق مع التوقعات الموضحة في خارطة الطريق الدولية لأشباه الموصلات (ITRS).
Related Results
COMPARISON OF CLINICAL, METABOLIC AND ENDOCRINAL PARAMETERS OF OBESE AND LEAN POLYCYSTIC OVARY SYNDROME PATIENTS –CROSS-SECTIONAL ANALYTICAL STUDY
COMPARISON OF CLINICAL, METABOLIC AND ENDOCRINAL PARAMETERS OF OBESE AND LEAN POLYCYSTIC OVARY SYNDROME PATIENTS –CROSS-SECTIONAL ANALYTICAL STUDY
Background:Polycystic Ovary Syndrome (PCOS)-recently recognized by medical organizations as Polyendocrine Metabolic Ovarian Syndrome (PMOS)-is a common endoc...
The Application of Taguchi-WSM, Taguchi-WPM and Taguchi-WASPAS Multicriteria Methods to Optimize Downtime in a Production Process
The Application of Taguchi-WSM, Taguchi-WPM and Taguchi-WASPAS Multicriteria Methods to Optimize Downtime in a Production Process
In the industrial transformation of animal feed for chickens, downtime analysis is a crucial part of the plant's operations. Unfortunately, the literature on downtime analysis has ...
(Invited) Optimizing Material Systems for All-Inkjet-Printed Organic Thin-Film Transistors
(Invited) Optimizing Material Systems for All-Inkjet-Printed Organic Thin-Film Transistors
Organic transistors have the advantages of mechanical flexibility and low-temperature printability, thus having attracted considerable attention. However, printed organic transisto...
Performance Analysis Of Various Techniques On 6t Sram Cell
Performance Analysis Of Various Techniques On 6t Sram Cell
Leakage current has been a major issue in system on chip designs with sub-micron technologies. For 180nm and below technologies, leakage is the main factor which dominates over the...
Multiple Water and Sand Leakage Model Tests for Shield Tunnel
Multiple Water and Sand Leakage Model Tests for Shield Tunnel
Water and sand leakage in shield tunnels has become more of a research interest in recent years. On the other hand, accidents involving underground engineering can take many forms ...
Optimization of Maintenance Downtime for Handling equipment in a Container Terminal using Taguchi Scheme, Taguchi-Pareto Method and Taguchi-ABC Method
Optimization of Maintenance Downtime for Handling equipment in a Container Terminal using Taguchi Scheme, Taguchi-Pareto Method and Taguchi-ABC Method
This paper examined the behavior of selected maintenance downtime parameters of handling equipment in a container terminal and established the system's optimal parameters. Taguchi ...
Multiple Water and Sand Leakage Model Tests for Shield Tunnels
Multiple Water and Sand Leakage Model Tests for Shield Tunnels
Water and sand leakage in shield tunnels has become more of a research interest in recent years. On the other hand, accidents involving underground engineering can take many forms ...
Modelado de un Recuperador Dinámico de Tensión para el Mejoramiento de la Calidad de la Onda de Tensión
Modelado de un Recuperador Dinámico de Tensión para el Mejoramiento de la Calidad de la Onda de Tensión
[1] R. C. Dugan, H. W. Beaty, y S. Santoso, Electrical Power Systems Quality, Third edition. Tata McGraw Hill Education, 2012.[2] J. Arrilaga y N. R. Watson, Powe...