Mischkristallbildung der festen Lösung In2Te3−xSex(0 ≦ x ≦ 3) (Halbleitereigenschaften von Telluriden. XIV)

AbstractBei der röntgenographischen Untersuchung des Systems In2Te3−xSex(0 ≦ x ≦ 3) konnte ein kubisches und ein hexagonales Einphasengebiet festgestellt werden. Zwischen 0 und ungefähr 40% In2Se3 bilden sich feste Lösungen kubischer und zwischen ungefähr 75 und 100% In2Se3 solche hexagonaler Struktur. Die Sättigungsgrenzen der dabei vorliegenden Mischkristalle sind temperaturabhängig, ebenso die jeweils existierende Modifikation der Ausgangselemente.Bezüglich der Struktur der Ausgangselemente konnten die Literaturangaben über das In2Te3 bestätigt und die über das In2Se3 korrigiert und ergänzt werden.Die im Gebiet zwischen kubischem und hexagonalem Strukturbereich gefundene vermutlich monokline Struktur konnte mittels der Thermoanalyse als eine bei 50% In2Se3 sich peritektisch bildende Verbindung gedeutet werden, deren Struktur im Gebiet zwischen 40 und 60% In2Se3 vorherrschend ist.