Javascript must be enabled to continue!
SiGe/Si Microwave Photonic devices and Interconnects towards Silicon-based full Optical Links
View through CrossRef
SiGe / Si micro-ondes photoniques Phototransistors et interconnexions vers Silicon-base tous les liens optiques
Avec la croissance forte de ces dernières années des objets connectés les technologies de communication optique et radio voient davantage d’opportunités de s’associer et se combiner dans des technologies bas-couts Photoniques-Microondes (MWP). Les réseaux domestiques en sont un exemple. La bande millimétrique notamment, de 57GHz à 67GHz, est utilisé pour contenir les exigences des communications sans fils très haut-débit, néanmoins, la couverture de ces systèmes wireless est limitée en intérieur (indoor) essentiellement à une seule pièce, à la fois du fait de l’atténuation forte de l’atmosphère dans cette bande de fréquence, mais aussi de fait de l’absorption et de la réflexion des murs. Ainsi il nécessaire de déployer une infrastructure pour diffuser l’information au travers d’un système d’antennes distribuées. Les technologiques optiques et photoniques-microondes sont une des solutions envisagées. Les technologies MWP se sont également étendues et couvrent une gamme très large d’applications incluant les communications mobiles 5G, les analyses biomédicales, les communications courtes-distances (datacom), le traitement de signal par voie optique et les interconnexions dans les véhicules et aéronefs. Beaucoup de ces applications requièrent de la rapidité, de la bande-passante et une grande dynamique à la fois, en même temps de demander des dispositifs compacts, légers et à faible consommation. Le cout d’implémentation est de plus un critère essentiel à leur déploiement, en particulier dans l’environnement domestique ainsi que dans d’autres applications variées des technologies MWP.Ce travail de thèse vise ainsi le développement de composants photonique-microondes (MPW) intégrés en technologie BiCMOS ou Bipolaire SiGe/Si, à très bas coût, incluant les phototransistors bipolaires à hétérojonctions (HPT) SiGe/Si, les Diodes Electro-Luminescentes (LED) Si et SiGe, ainsi que l’intégration combinées des composants optoélectroniques et microondes, pour l’ensemble des applications impliquant des courtes longueurs d’ondes (de 750nm à 950nm typiquement).Ces travaux se concentrent ainsi sur les points suivants :La meilleure compréhension de phototransistors SiGe/Si latéraux et verticaux conçus dans une technologie HBT SiGe 80GHz de Telefunken GmbH. Nous traçons des conclusions sur les performances optimales du phototransistor. Les effets de photodétection du substrat et de la dispersion spatiale des flux de porteurs sont analysés expérimentalement. Cette étude aide à développer des règles de dessin pour améliorer les performances fréquentielles du phototransistor HPT pour les applications visées.Dans l’objectif de développer de futures interconnexions intra- et inter- puces, nous concevons des lignes de transmissions faibles-pertes et des guides d’ondes optiques polymères sur Silicium faible résistivité. Il s’agit d’une étape afin d’envisager des plateformes Silicium dans lesquelles les HPT SiGe pourront potentiellement être intégrés de manière performante à très bas coût avec d’autres structures telles que des lasers à émission par la surface (VCSEL), afin de construire un transpondeur optique complet sur une interface Silicium. Le polymère est utilisé comme une interface diélectrique entre les lignes de transmission et le substrat, pour les interconnexions électriques, et pour définir le gain du guide d’onde optique dans les interconnexions optiques.La conception, la fabrication et la caractérisation du premier lien photonique-microonde sur puce Silicium sont menées en se basant sur la même technologie HBT SiGe 80GHz de Telefunken dans la gamme de longueur d’onde 0,65µm-0,85µm. Ce lien optique complétement intégré combine des LEDS Silicium en régime d’avalanche (Si Av LED), des guides d’ondes optiques Nitrure et Silice ainsi qu’un phototransistor SiGe. Un tel dispositif pourrait permettre d’accueillir à l’avenir des communications sur-puce, de systèmes micro-fluidiques et des applications d’analyse biochimiques
Title: SiGe/Si Microwave Photonic devices and Interconnects towards Silicon-based full Optical Links
Description:
SiGe / Si micro-ondes photoniques Phototransistors et interconnexions vers Silicon-base tous les liens optiques
Avec la croissance forte de ces dernières années des objets connectés les technologies de communication optique et radio voient davantage d’opportunités de s’associer et se combiner dans des technologies bas-couts Photoniques-Microondes (MWP).
Les réseaux domestiques en sont un exemple.
La bande millimétrique notamment, de 57GHz à 67GHz, est utilisé pour contenir les exigences des communications sans fils très haut-débit, néanmoins, la couverture de ces systèmes wireless est limitée en intérieur (indoor) essentiellement à une seule pièce, à la fois du fait de l’atténuation forte de l’atmosphère dans cette bande de fréquence, mais aussi de fait de l’absorption et de la réflexion des murs.
Ainsi il nécessaire de déployer une infrastructure pour diffuser l’information au travers d’un système d’antennes distribuées.
Les technologiques optiques et photoniques-microondes sont une des solutions envisagées.
Les technologies MWP se sont également étendues et couvrent une gamme très large d’applications incluant les communications mobiles 5G, les analyses biomédicales, les communications courtes-distances (datacom), le traitement de signal par voie optique et les interconnexions dans les véhicules et aéronefs.
Beaucoup de ces applications requièrent de la rapidité, de la bande-passante et une grande dynamique à la fois, en même temps de demander des dispositifs compacts, légers et à faible consommation.
Le cout d’implémentation est de plus un critère essentiel à leur déploiement, en particulier dans l’environnement domestique ainsi que dans d’autres applications variées des technologies MWP.
Ce travail de thèse vise ainsi le développement de composants photonique-microondes (MPW) intégrés en technologie BiCMOS ou Bipolaire SiGe/Si, à très bas coût, incluant les phototransistors bipolaires à hétérojonctions (HPT) SiGe/Si, les Diodes Electro-Luminescentes (LED) Si et SiGe, ainsi que l’intégration combinées des composants optoélectroniques et microondes, pour l’ensemble des applications impliquant des courtes longueurs d’ondes (de 750nm à 950nm typiquement).
Ces travaux se concentrent ainsi sur les points suivants :La meilleure compréhension de phototransistors SiGe/Si latéraux et verticaux conçus dans une technologie HBT SiGe 80GHz de Telefunken GmbH.
Nous traçons des conclusions sur les performances optimales du phototransistor.
Les effets de photodétection du substrat et de la dispersion spatiale des flux de porteurs sont analysés expérimentalement.
Cette étude aide à développer des règles de dessin pour améliorer les performances fréquentielles du phototransistor HPT pour les applications visées.
Dans l’objectif de développer de futures interconnexions intra- et inter- puces, nous concevons des lignes de transmissions faibles-pertes et des guides d’ondes optiques polymères sur Silicium faible résistivité.
Il s’agit d’une étape afin d’envisager des plateformes Silicium dans lesquelles les HPT SiGe pourront potentiellement être intégrés de manière performante à très bas coût avec d’autres structures telles que des lasers à émission par la surface (VCSEL), afin de construire un transpondeur optique complet sur une interface Silicium.
Le polymère est utilisé comme une interface diélectrique entre les lignes de transmission et le substrat, pour les interconnexions électriques, et pour définir le gain du guide d’onde optique dans les interconnexions optiques.
La conception, la fabrication et la caractérisation du premier lien photonique-microonde sur puce Silicium sont menées en se basant sur la même technologie HBT SiGe 80GHz de Telefunken dans la gamme de longueur d’onde 0,65µm-0,85µm.
Ce lien optique complétement intégré combine des LEDS Silicium en régime d’avalanche (Si Av LED), des guides d’ondes optiques Nitrure et Silice ainsi qu’un phototransistor SiGe.
Un tel dispositif pourrait permettre d’accueillir à l’avenir des communications sur-puce, de systèmes micro-fluidiques et des applications d’analyse biochimiques.
Related Results
A Benchmark of Germane and Digermane for the Low Temperature Growth of Intrinsic and Heavily in-situ Boron-Doped SiGe
A Benchmark of Germane and Digermane for the Low Temperature Growth of Intrinsic and Heavily in-situ Boron-Doped SiGe
We have recently demonstrated the interest of using Si2H6 + GeH4 for the 450°C-500°C epitaxy of (i) intrinsic SiGe layers and (ii) SiGe:B raised sources and drains [1-4]. One way o...
Two-dimensional function photonic crystal
Two-dimensional function photonic crystal
Photonic crystal is a kind of periodic optical nanostructure consisting of two or more materials with different dielectric constants, which has attracted great deal of attention be...
Relationship among total tear IgE, specific serum IgE, and total serum IgE levels in patients with pollen-induced allergic conjunctivitis
Relationship among total tear IgE, specific serum IgE, and total serum IgE levels in patients with pollen-induced allergic conjunctivitis
Abstract
Background
Recently, the number of patients with pollinosis, particularly Japanese cedar pollinosis, has markedly increased. We previously ...
Germanium/Silicon-Germanium Heterostructure Avalanche Photodiodes on Silicon
Germanium/Silicon-Germanium Heterostructure Avalanche Photodiodes on Silicon
Near-infrared photodiodes (PDs) of Ge on Si have been widely studied in Si photonics for the optical communications (1.3–1.6 μm). Ge-based avalanche PDs (APDs) have been also studi...
Analysis of Si/SiGe/Si double heterojunction band of a novelstructure of PIN electronic modulation
Analysis of Si/SiGe/Si double heterojunction band of a novelstructure of PIN electronic modulation
PIN is a common structure of electrical modulation in electro-optic modulator, and the performance of the electro-optic modulator is directly affected by the carrier injection in P...
Anisotropic selective etching between SiGe and Si
Anisotropic selective etching between SiGe and Si
Abstract
In Si/SiGe dual-channel FinFETs, it is necessary to simultaneously control the etched amounts of SiGe and Si. However, the SiGe etch rate is higher than ...
Lokales IgE bei Patienten mit allergischer und nicht-allergischer Rhinitis
Lokales IgE bei Patienten mit allergischer und nicht-allergischer Rhinitis
Allergic rhinitis (AR) is one of the most common chronic respiratory diseases and affects around 500 million people worldwide. However, in some of the patients experiencing rhiniti...
A Benchmark of Germane and Digermane for the Low Temperature Growth of Intrinsic and Heavily in-situ Boron-Doped SiGe
A Benchmark of Germane and Digermane for the Low Temperature Growth of Intrinsic and Heavily in-situ Boron-Doped SiGe
We have benchmarked germane and digermane for the low temperature growth of SiGe and SiGe:B (with disilane as the Si gaseous precursor). At 500°C, 20 Torr, the SiGe growth rate inc...

