Test de mémoires SRAM à faible consommation

De nos jours, les mémoires embarquées sont les composants les plus denses dans les "System-On-Chips" (SOCs), représentant actuellement plus que 90% de leur superficie totale. Parmi les différents types de mémoires, les SRAMs sont très largement utilisées dans la conception des SOCs, particulièrement en raison de leur haute performance et haute densité d'intégration. En revanche, les SRAMs conçues en utilisant des technologies submicroniques sont devenus les principaux contributeurs de la consommation d'énergie globale des SOCs. Par conséquent, un effort élevé est actuellement consacré à la conception des SRAMs à faible consommation. En plus, en raison de leur structure dense, les SRAMs sont devenus de plus en plus susceptibles aux défauts physiques comparativement aux autres blocs du circuit, notamment dans les technologies les plus récentes. Par conséquent, les SRAMs se posent actuellement comme le principal détracteur du rendement des SOCs, ce qui cause la nécessité de développer des solutions de test efficaces ciblant ces dispositifs.Dans cette thèse, des simulations électriques ont été réalisées pour prédire les comportements fautifs causés par des défauts réalistes affectant les blocs de circuits spécifiques aux technologies SRAM faible consommation. Selon les comportements fautifs identifiés, différents tests fonctionnels, ainsi que des solutions de tests matériels, ont été proposés pour détecter les défauts étudiés. Par ailleurs, ce travail démontre que les circuits d'écriture et lecture, couramment incorporés dans les SRAMs faible consommation, peuvent être réutilisés pour augmenter le stress dans les SRAMs lors du test, ce qui permet d'améliorer la détection des défauts affectant la mémoire.