Body biasing fault injection : enhancements, analysis modeling, and simulation

Injection de fautes par impulsion dans le susbstrat : modélisation Ces dernières décennies, les méthodes d'injection de fautes ont été étudiées de manière approfondie.De nombreuses approches ont vu le jour, toutes utilisant diverses grandeurs physiques dans le butde perturber le comportement des circuits intégrés ciblés. On peut notamment identifier les champsélectromagnétiques permettant de créer des courants parasites dans les circuits, connu sous le nomd'injection de fautes par impulsion électromagnétique. De plus, il existe une technique utilisant lesémissions de photons produites grâce au laser, tirant profit de l'effet photoélectrique du silicium,connues sous le nom d'injection de fautes par impulsion laser. Ensuite, on trouve des méthodesplus élémentaires, tirant parti de la perturbation des signaux d'alimentation ou d'horloge. Celle-cicréent des comportements indésirables exploitables, communément appelés injection de fautespar "glitch". Enfin, on peut identifier la polarisation transitoire du substrat des circuits intégrés,aussi connue sous le nom d'injection de fautes par impulsion dans le substrat. Parmi ces méthodes,l'injection par impulsions laser, par impulsions électromagnétiques et par glitch ont été étudiées en détail. En revanche, l'injection de fautes par impulsion dans le substrat n'a pas eu ce traitement. Parconséquent, aucune contremesure dédiée n'a encore été proposée pour prévenir l'utilisation de cettetechnique.Dans ce contexte, mon travail de thèse de doctorat vise à apporter des éléments de réponse concernantl'injection de fautes par impulsion dans le substrat. Dans un premier temps, je propose desaméliorations des plateformes préexistantes, permettant de réaliser des expérimentations plus reproductibleset plus fiables. Ensuite, je démontre la faisabilité d'une attaque par faute différentiellequi s'appuie sur un critère contraignant. Ultérieurement, je présente une nouvelle méthodologie demodélisation et de simulation de l'injection de fautes par impulsion dans le substrat. Cette méthode,fondée sur de précédents travaux réalisés concernant l'injection de fautes par impulsion électromagnétique, permet d'avoir une compréhension sur les comportements internes d'un circuit soumis àl'injection par impulsion dans le substrat. Enfin, j'étudie l'intérêt d'affiner le substrat des circuits intégrésdestinés à être utilisés avec l'injection par impulsion dans le substrat, ce qui permet de prévoirles conséquences de cette pratique sur la méthode d'injection de fautes.