Electronic Structure of SrTiO3 Thin Films Doped with 3d Transition Metal Elements

Structure Électronique Des Couches Minces SrTiO3 Dopés avec Éléments Métalliques de Transition 3d Les divers propriétés physiques des oxydes de métaux de transitions font d’eux de bons candidats pour de potentiels nouvelles applications industrielles, et plus précisement dans de nouvelles productions photovoltaiques. Concrètement, les riches propriétés électroniques fondamentales proviennent de fortes interactions de Coulomb au sein des électrons du système. La compréhension de tels effets corrélés continue un défit pour la physique du solide moderne, ce qui signifie qu’une combinaison des faces expérimentale et théorique de la recherche est essentielle pour progrésser dans ce domaine. Les études spéctroscopiques des prototypes des couches minces corrélées de SrTiO3dopées avec divers ions de métaux de transitions (MT) (e.g. Ni, Fe ou Cr) sont la colonne vértébrale de cette thèse. Avec la combinaison de la photoémission spectroscopique des niveaux de coeurs, la photoémission résolue en angle (ARPES) et la photoémission de diffraction (XPD) d’une part; et les calculs de principe-premier par le biais de la théorie des diffusions multiples d’une autre part, une bonne compréhension du dopage de la structue et des propiétés électroniques a été obtenu ici. Dans les couches minces polycristallines de SrTiO3, crû par pulvérisation magnétron, la taille moyenne des cristaux augmentent avec le dopage aux MT. Cette découverte était une motivation pour étudier et approfondir la connaissance des structures de bandes électroniques fondamentales du SrTiO3 dopé aux MTs. Pour cette raison, haute qualité des couches minces monocrystallines de pure SrTiO3 et de SrTiO3 dopé avec Ni, Fe et Cr ont été préparer en epitaxie par ablation laser pulsé (PLD). Les calculs des structures de bandes électroniques des états fondamentaux, aussi que les calculs de principe-premier de photoémission obtenu par le biais de la méthode Korringa- Khon-Rostoker (KKR), ont prédit la formation des états localisés 3d liés aux impuretés dans la bande de gap du SrTiO3 et proche du maximum de la bande de valence. Les mesures de la dispersion des bandes électroniques et les bandes de valences à la résonance confirment nos résultats. Le gaz bidimensionnelle (2DEG), vu à la surface du SrTiO3 dopé au Ni, par la résonance-ARPES, peut être indirectement contrôlé par le dopage et sa concentration dans les couches.Le dopage au Ni semble modifier la distortion de l’octaèdre TiO6, ce qui abouti à des changements dans la symmetrie de la structure et la partition des sous-bandes de Ti 3d localisées à la surface. Les mesures XPD confirment la symmetrie d’ordre quatre de la structure des couches minces SrTiO3 dopé au Ni, et un changement du paramètre de maille par raport a celui du pure SrTiO3 a été détecté. Les atomes Ni intègrent le système de base en se substituant aux sites des Ti.