Javascript must be enabled to continue!
Nitride nanowire light-emitting diode
View through CrossRef
Diodes électroluminescentes à nanofils nitrures
Les nanofils nitrures présentent des propriétés optoélectroniques extraordinaires et sont considérés comme des matériaux prometteurs pour des diodes électroluminescentes (LEDs), grâce à leur haute qualité cristalline, leurs surfaces non-polaires, leur bonne flexibilité mécanique, leur rapport d’aspect élevé, etc.Cette thèse adresse la croissance, la fabrication, les caractérisations optiques et électriques et la simulation optique des dispositifs à base de nanofils nitrures, avec un accent particulier sur les LEDs à nanofils.Premièrement, cette thèse présente la croissance par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques de nanofils nitrures cœur-coquille auto-assemblés contenant des puits quantiques InGaN/GaN sur les facettes plan m avec différentes concentrations d’In. Puis est décrite la fabrication de LEDs utilisant ces nanofils suivant deux différentes stratégies d’intégration (intégrations planaires et verticales).L’intégration planaire est basée sur des nanofils uniques dispersés horizontalement. J’ai proposé une plateforme photonique intégrée composée d’une LED à nanofil, d’un guide d’onde optimisé et d’un photodétecteur à nanofil. J’ai également développé un système d’alignement des nanofils.L’intégration verticale a pour objectif la réalisation de LEDs flexibles reposant sur une assemblée de nanofils verticaux encapsulées dans des polymères. Je montre que ceci permet la fabrication de LEDs flexibles monochromatiques, bi-couleurs ou blanches.Les nanofils épitaxiés sur des matériaux 2D par épitaxie de van de Waals sont faciles à décoller de leur substrat natif. Avec cette motivation, dans la dernière partie de cette thèse, j’ai étudié la croissance organisée des nanofils GaN sur du graphène micro et nano-structuré utilisant l’épitaxie par jets moléculaires.
Title: Nitride nanowire light-emitting diode
Description:
Diodes électroluminescentes à nanofils nitrures
Les nanofils nitrures présentent des propriétés optoélectroniques extraordinaires et sont considérés comme des matériaux prometteurs pour des diodes électroluminescentes (LEDs), grâce à leur haute qualité cristalline, leurs surfaces non-polaires, leur bonne flexibilité mécanique, leur rapport d’aspect élevé, etc.
Cette thèse adresse la croissance, la fabrication, les caractérisations optiques et électriques et la simulation optique des dispositifs à base de nanofils nitrures, avec un accent particulier sur les LEDs à nanofils.
Premièrement, cette thèse présente la croissance par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques de nanofils nitrures cœur-coquille auto-assemblés contenant des puits quantiques InGaN/GaN sur les facettes plan m avec différentes concentrations d’In.
Puis est décrite la fabrication de LEDs utilisant ces nanofils suivant deux différentes stratégies d’intégration (intégrations planaires et verticales).
L’intégration planaire est basée sur des nanofils uniques dispersés horizontalement.
J’ai proposé une plateforme photonique intégrée composée d’une LED à nanofil, d’un guide d’onde optimisé et d’un photodétecteur à nanofil.
J’ai également développé un système d’alignement des nanofils.
L’intégration verticale a pour objectif la réalisation de LEDs flexibles reposant sur une assemblée de nanofils verticaux encapsulées dans des polymères.
Je montre que ceci permet la fabrication de LEDs flexibles monochromatiques, bi-couleurs ou blanches.
Les nanofils épitaxiés sur des matériaux 2D par épitaxie de van de Waals sont faciles à décoller de leur substrat natif.
Avec cette motivation, dans la dernière partie de cette thèse, j’ai étudié la croissance organisée des nanofils GaN sur du graphène micro et nano-structuré utilisant l’épitaxie par jets moléculaires.
Related Results
The effect of ITO annealing on electrical characteristic of GaN based LED
The effect of ITO annealing on electrical characteristic of GaN based LED
In the recent years,more and more light-emitting diodes use indium tin oxide (ITO) as the current spreading layer. But if there is not any treatment, the electrical properties of l...
Lasing up to T = 339 K in Subwavelength Nanowire-Induced Photonic Crystal Nanocavities
Lasing up to T = 339 K in Subwavelength Nanowire-Induced Photonic Crystal Nanocavities
We report on lasing operation up to 339K in nanocavities constituted of subwavelength ZnO nanowires integrated in SiN photonic crystals. With thresholds as low as 4MW.cm-2, the inv...
Expanding the floating catalyst synthesis of inorganic 1D nanomaterials and their assembly into macroscopic networks
Expanding the floating catalyst synthesis of inorganic 1D nanomaterials and their assembly into macroscopic networks
Floating Catalyst Chemical Vapour Deposition (FCCVD) represents a promising method for assembling one-dimensional (1D) nanostructures into macroscopic materials for high-performanc...
Electrodeposition of Three-Dimensional Au Nanowire Networks and Their Application As Catalysts for Methanol Electro-Oxidation
Electrodeposition of Three-Dimensional Au Nanowire Networks and Their Application As Catalysts for Methanol Electro-Oxidation
In this talk we will first present the synthesis of free-standing, stable gold nanowire network with controlled morphology and geometry by ion-track technology and electrodepositio...
Microcontroller-Based Thermoelectrically Stabilized Laser Diode System
Microcontroller-Based Thermoelectrically Stabilized Laser Diode System
This work aims to describe the development of a prototype laser diode system along with its driver circuit and a stable microcontroller-based thermo-electric cooling system. The la...
Giant Magnetoresistance and Magneto-Thermopower in 3D Interconnected NixFe1−x/Cu Multilayered Nanowire Networks
Giant Magnetoresistance and Magneto-Thermopower in 3D Interconnected NixFe1−x/Cu Multilayered Nanowire Networks
The versatility of the template-assisted electrodeposition technique to fabricate complex three-dimensional networks made of interconnected nanowires allows one to easily stack fer...
Embeded photonic crystal at the interface of p-GaN and Ag reflector to improve light extraction of GaN-based flip-chip light-emitting diode
Embeded photonic crystal at the interface of p-GaN and Ag reflector to improve light extraction of GaN-based flip-chip light-emitting diode
In this experiment, a flip-chip light-emitting diode with photonic crystal was fabricated at the interface of p-GaN and Ag reflector via nanospheres lithography technique. In this ...

