Search engine for discovering works of Art, research articles, and books related to Art and Culture
ShareThis
Javascript must be enabled to continue!

Nitride nanowire light-emitting diode

View through CrossRef
Diodes électroluminescentes à nanofils nitrures Les nanofils nitrures présentent des propriétés optoélectroniques extraordinaires et sont considérés comme des matériaux prometteurs pour des diodes électroluminescentes (LEDs), grâce à leur haute qualité cristalline, leurs surfaces non-polaires, leur bonne flexibilité mécanique, leur rapport d’aspect élevé, etc.Cette thèse adresse la croissance, la fabrication, les caractérisations optiques et électriques et la simulation optique des dispositifs à base de nanofils nitrures, avec un accent particulier sur les LEDs à nanofils.Premièrement, cette thèse présente la croissance par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques de nanofils nitrures cœur-coquille auto-assemblés contenant des puits quantiques InGaN/GaN sur les facettes plan m avec différentes concentrations d’In. Puis est décrite la fabrication de LEDs utilisant ces nanofils suivant deux différentes stratégies d’intégration (intégrations planaires et verticales).L’intégration planaire est basée sur des nanofils uniques dispersés horizontalement. J’ai proposé une plateforme photonique intégrée composée d’une LED à nanofil, d’un guide d’onde optimisé et d’un photodétecteur à nanofil. J’ai également développé un système d’alignement des nanofils.L’intégration verticale a pour objectif la réalisation de LEDs flexibles reposant sur une assemblée de nanofils verticaux encapsulées dans des polymères. Je montre que ceci permet la fabrication de LEDs flexibles monochromatiques, bi-couleurs ou blanches.Les nanofils épitaxiés sur des matériaux 2D par épitaxie de van de Waals sont faciles à décoller de leur substrat natif. Avec cette motivation, dans la dernière partie de cette thèse, j’ai étudié la croissance organisée des nanofils GaN sur du graphène micro et nano-structuré utilisant l’épitaxie par jets moléculaires.
Agence Bibliographique de l'Enseignement Supérieur
Title: Nitride nanowire light-emitting diode
Description:
Diodes électroluminescentes à nanofils nitrures Les nanofils nitrures présentent des propriétés optoélectroniques extraordinaires et sont considérés comme des matériaux prometteurs pour des diodes électroluminescentes (LEDs), grâce à leur haute qualité cristalline, leurs surfaces non-polaires, leur bonne flexibilité mécanique, leur rapport d’aspect élevé, etc.
Cette thèse adresse la croissance, la fabrication, les caractérisations optiques et électriques et la simulation optique des dispositifs à base de nanofils nitrures, avec un accent particulier sur les LEDs à nanofils.
Premièrement, cette thèse présente la croissance par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques de nanofils nitrures cœur-coquille auto-assemblés contenant des puits quantiques InGaN/GaN sur les facettes plan m avec différentes concentrations d’In.
Puis est décrite la fabrication de LEDs utilisant ces nanofils suivant deux différentes stratégies d’intégration (intégrations planaires et verticales).
L’intégration planaire est basée sur des nanofils uniques dispersés horizontalement.
J’ai proposé une plateforme photonique intégrée composée d’une LED à nanofil, d’un guide d’onde optimisé et d’un photodétecteur à nanofil.
J’ai également développé un système d’alignement des nanofils.
L’intégration verticale a pour objectif la réalisation de LEDs flexibles reposant sur une assemblée de nanofils verticaux encapsulées dans des polymères.
Je montre que ceci permet la fabrication de LEDs flexibles monochromatiques, bi-couleurs ou blanches.
Les nanofils épitaxiés sur des matériaux 2D par épitaxie de van de Waals sont faciles à décoller de leur substrat natif.
Avec cette motivation, dans la dernière partie de cette thèse, j’ai étudié la croissance organisée des nanofils GaN sur du graphène micro et nano-structuré utilisant l’épitaxie par jets moléculaires.

Related Results

The effect of ITO annealing on electrical characteristic of GaN based LED
The effect of ITO annealing on electrical characteristic of GaN based LED
In the recent years,more and more light-emitting diodes use indium tin oxide (ITO) as the current spreading layer. But if there is not any treatment, the electrical properties of l...
Microcontroller-Based Thermoelectrically Stabilized Laser Diode System
Microcontroller-Based Thermoelectrically Stabilized Laser Diode System
This work aims to describe the development of a prototype laser diode system along with its driver circuit and a stable microcontroller-based thermo-electric cooling system. The la...
Nitrides
Nitrides
AbstractNitrides may be classified as being ionic or salt‐like, metallic, nonmetallic (diamond‐like) or volatile. The properties of transition‐metal metallic nitrides and the diamo...
Interfacial thermal conductance of gallium nitride/graphene/diamond heterostructure based on molecular dynamics simulation
Interfacial thermal conductance of gallium nitride/graphene/diamond heterostructure based on molecular dynamics simulation
<sec>Gallium nitride chips are widely used in high-frequency and high-power devices. However, thermal management is a serious challenge for gallium nitride devices. To improv...
Recent Advances in Carbon Nitride-Based S-scheme Photocatalysts for Solar Energy Conversion
Recent Advances in Carbon Nitride-Based S-scheme Photocatalysts for Solar Energy Conversion
Energy shortages are a major challenge to the sustainable development of human society, and photocatalytic solar energy conversion is a potential way to alleviate energy problems. ...
AlGaN Nanowires for Ultraviolet Light-Emitting: Recent Progress, Challenges, and Prospects
AlGaN Nanowires for Ultraviolet Light-Emitting: Recent Progress, Challenges, and Prospects
In this paper, we discuss the recent progress made in aluminum gallium nitride (AlGaN) nanowire ultraviolet (UV) light-emitting diodes (LEDs). The AlGaN nanowires used for such LED...
Facet-Related Non-uniform Photoluminescence in Passivated GaAs Nanowires
Facet-Related Non-uniform Photoluminescence in Passivated GaAs Nanowires
The semiconductor nanowire architecture provides opportunities for non-planar electronics and optoelectronics arising from its unique geometry. This structure gives rise to a large...

Back to Top