Etude de mécanismes d’hybridation pour les détecteurs d’imagerie Infrarouge

L’évolution de la microélectronique suit plusieurs axes notamment la miniaturisation des éléments actifs (réduction de taille des transistors), et l’augmentation de la densité d’interconnexion qui se traduisent par la loi de Gordon Moore qui prédit que la densité d'intégration sur silicium doublerait tous les deux ans. Ces évolutions ont pour conséquence la réduction des prix et du poids des composants. L’hybridation ou flip chip est une technologie qui s’inscrit dans cette évolution, elle consiste en l’assemblage de matériaux hétérogènes. Dans cette étude il s‘agit d’un circuit de lecture Silicium et d’un circuit de détection InP ou GaAs assemblés par l’intermédiaire d’une matrice de billes d’indium. La connexion flip chip est basée sur l’utilisation d’une jonction par plots métalliques de faibles dimensions qui permet de diminuer les pertes électriques (faible inductance et faible bruit), une meilleure dissipation thermique, une bonne tenue mécanique. Enfin elle favorise la miniaturisation avec l’augmentation de la compacité et de la densité d’interconnexion.Les travaux de thèse se concentrent sur deux axes principaux. Le premier concerne l’hybridation par brasure avec la technologie des billes d’indium par refusion, et le second concerne l’hybridation par pression à température ambiante (nano-scratch) par l’intermédiaire des nanostructures (Nano-fils d’or, Nano-fils ZnO). Ces travaux ont permis la réalisation d’un détecteur InGaAs avec extension visible de format TV 640*512 pixels au pas de 15 µm. Ces travaux ont également permis la validation mécanique de l’assemblage d’un composant de format double TV 1280*1024 pixels au pas de 10 µm par cette même méthode de reflow. Pour l’axe hybridation à froid, nos travaux ont permis la validation d’une méthode de croissance de nano-fils ZnO par une voix hydrothermique à basse température (<90°C).