Herstellung und ausgewählte physikalische Eigenschaften von ZnSiP2

AbstractUndotierte ZnSiP2‐Kristalle, die nach verschiedenen Methoden gezüchtet wurden (Gasphasentransport, Lösungszüchtung), zeigen teilweise beträchtliche Differenzen in ihren physikalischen Eigenschaften. Ziel der Arbeit ist, es, Zusammenhänge zwischen der Herstellung von ZnSiP2, der Qualität der eingesetzten Ausgangsstoffe und den physikalischen Eigenschaften der halbleitenden Verbindung aufzuzeigen. Messungen des Hall‐Effektes, der Leitfähigkeit, der Lumineszenz und der Protonenrückstreuung ergaben Informationen über die Perfektion und die Homogenität der Kristalle sowie über Störstellen und Rekombinationszentren, die für die verschiedenen Züchtungsmethoden charakteristisch sind. Der Einfluß der Dotierung durch verschiedene Elemente auf die Eigenschaften von lösungsgezüchteten ZnSiP2‐Kristallen wurde untersucht.