Формирование границ раздела полупроводник-сера-переходный металл

Выполнены термодинамические расчеты при стандартных условиях химических реакций, протекающих при сульфидной пассивации поверхности элементарных полупроводников (Si, Ge), нитридов галлия, индия, алюминия (GaN, InN, AlN). Осуществление сульфидной пассивации нитрида алюминия, кремния и германия термодинамически вероятнее для неокис-ленной поверхности полупроводников, контактирующей с газовой фазой, содержащей серу или сероводород. Существует термодинамическая вероятность сульфидирования окисленной поверхности германия из газовой фазы. Сульфидирование нитридов галлия и индия самопроизвольно возможно из водных растворов сульфидов щелочных металлов. Сравнение кристаллохимических параметров атомов (ковалентные и атомные радиусы), типов симметрии возможных фазовых соединений на границах раздела полупроводник-сульфид-металл и полупроводник-оксид-металл показало, что для сульфидированной поверхности полупроводника имеется большее структурное соответствие, чем для окисленной поверхности полупроводника, контактирующего с переходным металлом. При замещении атомов кислорода на атомы серы в приграничном слое между переходным металлом и полупроводником наблюдается меньший скачок в величинах электроотрицательностей элементов, образующих границу раздела фаз. Формирование с помощью сульфидной пассивации поверхности полупроводника более совершенной и стабильной (по химическим и физическим свойствам) границы раздела фаз способствует созданию выпрямляющих контактов металл-полупроводник с улучшенными электрофизическими параметрами.DOI 10.14258/izvasu(2018)4-02