Search engine for discovering works of Art, research articles, and books related to Art and Culture
Javascript must be enabled to continue!
Nesrin Algan ile Ruşen Keleş Üzerine
View through CrossRef
Ben lise öğrencisiyken SBF’de okuyan ağabeyimden duymuştum adını, Ruşen Hoca o dönem onların Dekanıydı. Ben SBF’de lisans öğrencisiyken ise Ruşen Hocanın bize dersi yoktu, Fehmi Yavuz Hoca Şehircilik Dersi hocamızdı. Ders kitabımız ise onların ortak eseriydi. Bunun dışında da kürsünün hocası olduğu için Ruşen Hocanın çeşitli kitap ve makalelerini de lisans derslerimizde okuyorduk, ancak Hocayla o dönem yüz yüze tanışma şansım olmadı. Daha sonra ilk kez 1979’da Yüksek Lisansta Karşılaştırmalı Yerel Yönetimler Dersinde Ruşen Hocayla doğrudan tanışma ve çalışma şansı buldum.
Title: Nesrin Algan ile Ruşen Keleş Üzerine
Description:
Ben lise öğrencisiyken SBF’de okuyan ağabeyimden duymuştum adını, Ruşen Hoca o dönem onların Dekanıydı.
Ben SBF’de lisans öğrencisiyken ise Ruşen Hocanın bize dersi yoktu, Fehmi Yavuz Hoca Şehircilik Dersi hocamızdı.
Ders kitabımız ise onların ortak eseriydi.
Bunun dışında da kürsünün hocası olduğu için Ruşen Hocanın çeşitli kitap ve makalelerini de lisans derslerimizde okuyorduk, ancak Hocayla o dönem yüz yüze tanışma şansım olmadı.
Daha sonra ilk kez 1979’da Yüksek Lisansta Karşılaştırmalı Yerel Yönetimler Dersinde Ruşen Hocayla doğrudan tanışma ve çalışma şansı buldum.
Related Results
Carrier Localization at Atomic‐Scale Compositional Fluctuations in Single AlGaN Nanowires with Nano‐Cathodoluminescence
Carrier Localization at Atomic‐Scale Compositional Fluctuations in Single AlGaN Nanowires with Nano‐Cathodoluminescence
Considerable interest has been generated to develop highly efficient deep ultraviolet (DUV) emitters using AlGaN‐based alloys with direct bandgaps between 3.4 – 6.1 eV for a broad ...
Effects of interface states and temperature on the C-V behavior of metal/insulator/AlGaN/GaN heterostructure capacitors
Effects of interface states and temperature on the C-V behavior of metal/insulator/AlGaN/GaN heterostructure capacitors
The impact of states at the insulator/AlGaN interface on the capacitance-voltage (C-V) characteristics of a metal/insulator/AlGaN/GaN heterostructure (MISH) capacitor was examined ...
Strain measurements at
AlGaN/GaN
HEMT
structures on Silicon substrates
Strain measurements at
AlGaN/GaN
HEMT
structures on Silicon substrates
High Electron Mobility Transistors (HEMTs) based on AlGaN/GaN are of great interest due to their high electrical performance and the related applications. The high carrier density,...
A. Menaf Turan ile Ruşen Keleş Üzerine
A. Menaf Turan ile Ruşen Keleş Üzerine
İnönü Üniversitesi İİBF Kamu Yönetimi Bölümü’nde 1992 yılında başladığım lisans öğrenciliğimden bu yana Ruşen Hocam ile önce kitaplarından sonra da doktora döneminde bizzat öğrenci...
Performance improvement of large area GaN MSM photodiode with thin AlGaN surface layer
Performance improvement of large area GaN MSM photodiode with thin AlGaN surface layer
PurposeThe purpose of this paper is to propose a new structure of GaN based metal‐semiconductor‐metal (MSM) photodiode, in which a thin unintentionally doped n‐type AlGaN layer is ...
Ohmic contact to AlN:Si using graded AlGaN contact layer
Ohmic contact to AlN:Si using graded AlGaN contact layer
We formed a graded-AlGaN contact layer to improve the Ohmic characteristics of Si-doped AlN. Linear I-V characteristics were obtained for AlN with the graded-AlGaN layer, and the c...
Effects of GaN/AlGaN/Sputtered AlN nucleation layers on performance of GaN-based ultraviolet light-emitting diodes
Effects of GaN/AlGaN/Sputtered AlN nucleation layers on performance of GaN-based ultraviolet light-emitting diodes
AbstractWe report on the demonstration of GaN-based ultraviolet light-emitting diodes (UV LEDs) emitting at 375 nm grown on patterned sapphire substrate (PSS) with in-situ low temp...
Studies on the Influences of i-GaN, n-GaN, p-GaN and InGaN Cap Layers in AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors
Studies on the Influences of i-GaN, n-GaN, p-GaN and InGaN Cap Layers in AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors
Systematic studies were performed on the influence of different cap layers of i-GaN, n-GaN, p-GaN and InGaN on AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) grown on sapphi...