Javascript must be enabled to continue!
GeTe-SnTe-Sb2Te3 KVAZİÜÇLÜ SİSTEMİNİN GeSb4Te7-SnSb4Te7 VƏ GeSb6Te10-“SnSb6Te10” POLİTERMİK KƏSİKLƏRİ
View through CrossRef
Təqdim olunan işdə GeTe–SnTe–Sb2Te3 kvaziüçlü sisteminin GeSb4Te7-SnSb4Te7 və GeSb6Te10-“SnSb6Te10” politermik kəsikləri üzrə faza tarazlıqları tədqiq olunmuşdur. Ərintilər əvvəlcədən sintez və identifikasiya edilmiş GeTe, SnTe və Sb2Te3 binar birləşmələrindən istifadə edilməklə hazırlanmış, maye fazadan sürətlə soyudulmuş və 800 K temperaturda 800 saat müddətində termiki emal edilmişdir. Nümunələr DTA, RFA və SEM üsulları ilə tədqiq olunaraq hər iki kəsik üzrə T–x faza diaqramları qurulmuşdur. Müəyyən edilmişdir ki, GeSb4Te7-SnSb4Te7 kəsiyi subsolidus sahəsində stabildir və ilkin birləşmələr arasında fasiləsiz bərk məhlul sırasının əmələ gəlməsi ilə xarakterizə olunur. GeSb6Te10-“SnSb6Te10” kəsiyi isə subsolidus sahəsində qeyri-stabildir və yalnız 0-40 mol%-“SnSb6Te10” tərkiblərində GeSb6Te10 əsasında əvəzolunma bərk məhlullar əmələ gəlir. Alınmış nəticələr Ge/Sn əvəzləməli laylı quruluşlu bərk məhlulların sintezi zamanı ilkin tərkiblərin seçilməsi üçün istifadə oluna bilər.
Açar sözlər: laylı materiallar, termoelektrik materiallar, tetradimitəbənzər quruluş, metal xalkogenidləri, bərk məhlullar, faza diaqramı.
Education Support and Investment Fund NGO
Title: GeTe-SnTe-Sb2Te3 KVAZİÜÇLÜ SİSTEMİNİN GeSb4Te7-SnSb4Te7 VƏ GeSb6Te10-“SnSb6Te10” POLİTERMİK KƏSİKLƏRİ
Description:
Təqdim olunan işdə GeTe–SnTe–Sb2Te3 kvaziüçlü sisteminin GeSb4Te7-SnSb4Te7 və GeSb6Te10-“SnSb6Te10” politermik kəsikləri üzrə faza tarazlıqları tədqiq olunmuşdur.
Ərintilər əvvəlcədən sintez və identifikasiya edilmiş GeTe, SnTe və Sb2Te3 binar birləşmələrindən istifadə edilməklə hazırlanmış, maye fazadan sürətlə soyudulmuş və 800 K temperaturda 800 saat müddətində termiki emal edilmişdir.
Nümunələr DTA, RFA və SEM üsulları ilə tədqiq olunaraq hər iki kəsik üzrə T–x faza diaqramları qurulmuşdur.
Müəyyən edilmişdir ki, GeSb4Te7-SnSb4Te7 kəsiyi subsolidus sahəsində stabildir və ilkin birləşmələr arasında fasiləsiz bərk məhlul sırasının əmələ gəlməsi ilə xarakterizə olunur.
GeSb6Te10-“SnSb6Te10” kəsiyi isə subsolidus sahəsində qeyri-stabildir və yalnız 0-40 mol%-“SnSb6Te10” tərkiblərində GeSb6Te10 əsasında əvəzolunma bərk məhlullar əmələ gəlir.
Alınmış nəticələr Ge/Sn əvəzləməli laylı quruluşlu bərk məhlulların sintezi zamanı ilkin tərkiblərin seçilməsi üçün istifadə oluna bilər.
Açar sözlər: laylı materiallar, termoelektrik materiallar, tetradimitəbənzər quruluş, metal xalkogenidləri, bərk məhlullar, faza diaqramı.
Related Results
Фазовые равновесия в системе Sm2Te3–GeTe
Фазовые равновесия в системе Sm2Te3–GeTe
Методами физико-химического анализа – дифференциально-термическим, высокотемпературным дифференциально-термическим, рентгенофазовым, микроструктурным, а также измерением микротверд...
Atomic resolution HAADF imaging applied to GeTe/Sb2Te3 superlattices
Atomic resolution HAADF imaging applied to GeTe/Sb2Te3 superlattices
Mesure de composition par imageries à résolution atomique appliquée aux super-réseaux GeTe/Sb2Te3
Les mémoires à changement de phase (PCM) permettent un traitement ...
Bidirectional Electric-induced Conductance based on GeTe/Sb<sub>2</sub>Te<sub>3</sub> Interfacial Phase Change Memory for Neuro-inspired Computing
Bidirectional Electric-induced Conductance based on GeTe/Sb<sub>2</sub>Te<sub>3</sub> Interfacial Phase Change Memory for Neuro-inspired Computing
Corresponding to the principles of biological synapses, an essential prerequisite for hardware neural networks using electronics devices is continuous regulation of conductance. We...
Crystalline structure of GeTe layer in GeTe/Sb2Te3 superlattice for phase change memory
Crystalline structure of GeTe layer in GeTe/Sb2Te3 superlattice for phase change memory
Low electric-power switching between set and reset has been confirmed to occur in a GeTe/Sb2Te3 superlattice (SL) film. This sort of operation will be essential for future phase-ch...
The Effect of Carbon Doping on the Crystal Structure and Electrical Properties of Sb2Te3
The Effect of Carbon Doping on the Crystal Structure and Electrical Properties of Sb2Te3
As a new generation of non-volatile memory, phase change random access memory (PCRAM) has the potential to fill the hierarchical gap between DRAM and NAND FLASH in computer storage...
GeTe-based nanocomposites for thermal optimisation and energy harvesting in microelectronics : from understanding to applications
GeTe-based nanocomposites for thermal optimisation and energy harvesting in microelectronics : from understanding to applications
Nanocomposites à base de GeTe pour l'optimisation thermique et la récupération d'énergie en microélectronique : de la compréhension aux applications
Le sujet de rec...
Charge transfer and mobility enhancement at CdO/SnTe heterointerfaces
Charge transfer and mobility enhancement at CdO/SnTe heterointerfaces
We report a study of the effects of charge transfer on electrical properties of CdO/SnTe heterostructures. A series of structures with variable SnTe thicknesses were deposited by R...
Unconventional Readings of the Ferroelectric State in the Rashba Semiconductor GeTe
Unconventional Readings of the Ferroelectric State in the Rashba Semiconductor GeTe
Lectures non conventionnelles de l’état ferroélectrique dans le semi-conducteur Rashba GeTe
Pour réduire la consommation énergétique des dispositifs microélectroniq...

