Search engine for discovering works of Art, research articles, and books related to Art and Culture
ShareThis
Javascript must be enabled to continue!

Електронна будова і стабільність фаз дигідриду магнію

View through CrossRef
За допомогою зонних розрахункiв в моделi FLAPW (the full-potential linearized augmented-plane-wave) отримано iнформацiю про енергетичнi характеристики, зарядовi стани атомiв, характер хiмiчних зв’язкiв, структуру валентних смуг i смуг провiдностi полiморфних модифiкацiй дигiдриду магнiю. Виявлено, що всi фази дигiдриду магнiю є немагнiтними iзоляторами, а електроннi стани атомiв металу та водню виявились гiбридизованими на всьому протязi як їхнiх валентних смуг, так i смуг провiдностi. Показано, що зниження сукупного заряду електронiв у мiжатомнiй областi приводить до зменшення когезiйних енергiй фаз високого тиску дигiдриду магнiю – чинникiв, якi сприяють полiпшенню кiнетики десорбцiї водню.
National Academy of Sciences of Ukraine (Co. LTD Ukrinformnauka) (Publications)
Title: Електронна будова і стабільність фаз дигідриду магнію
Description:
За допомогою зонних розрахункiв в моделi FLAPW (the full-potential linearized augmented-plane-wave) отримано iнформацiю про енергетичнi характеристики, зарядовi стани атомiв, характер хiмiчних зв’язкiв, структуру валентних смуг i смуг провiдностi полiморфних модифiкацiй дигiдриду магнiю.
Виявлено, що всi фази дигiдриду магнiю є немагнiтними iзоляторами, а електроннi стани атомiв металу та водню виявились гiбридизованими на всьому протязi як їхнiх валентних смуг, так i смуг провiдностi.
Показано, що зниження сукупного заряду електронiв у мiжатомнiй областi приводить до зменшення когезiйних енергiй фаз високого тиску дигiдриду магнiю – чинникiв, якi сприяють полiпшенню кiнетики десорбцiї водню.

Related Results

The impact of weather conditions on Lophantus anisatus (Benth.) introduced into Khakassia
The impact of weather conditions on Lophantus anisatus (Benth.) introduced into Khakassia
Исследования проводились в 2019–2021 годах в коллекционном питомнике лекарственных растений ФГБНУ «Научно-исследовательский институт аграрных проблем Хакасии». Объект исследования ...
Стабільність і кризовість у соціально-політичному розвитку
Стабільність і кризовість у соціально-політичному розвитку
У статті розкривається зміст концептів «криза» і «стабільнсть» у контексті соціально­політичного розвитку. Поняття «криза» і «стабільність» є контроверсивними, взаємовиключними. Кр...
МОДЕЛІ ЖИТТЄВОГО ЦИКЛУ РОЗВИТКУ ПРОЄКТНИХ КОМАНД В СИСТЕМІ ЦИВІЛЬНОГО ЗАХИСТУ
МОДЕЛІ ЖИТТЄВОГО ЦИКЛУ РОЗВИТКУ ПРОЄКТНИХ КОМАНД В СИСТЕМІ ЦИВІЛЬНОГО ЗАХИСТУ
Анотація. У статті подано класифікацію та проведено аналіз команд в системі цивільного захисту та доцільності їх використання залежно від умов зовнішнього середовища, яке динамічно...
Електронна будова та магнітні властивості сплавів Гейслера: MMnSb (M = Ni, Pd, Pt)
Електронна будова та магнітні властивості сплавів Гейслера: MMnSb (M = Ni, Pd, Pt)
Методами зонних розрахункiв у моделi FLAPW (the full-potential linearized augmented-plane-wave) отримано iнформацiю про енергетичнi, зарядовi та спiновi характеристики сплавiв MMnS...
НОРМАТИВНО-ПРАВОВІ АСПЕКТИ БАНКІВСЬКОГО РЕГУЛЮВАННЯ ТА ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ НАДІЙНОСТІ БАНКІВСЬКОЇ СИСТЕМИ УКРАЇНИ
НОРМАТИВНО-ПРАВОВІ АСПЕКТИ БАНКІВСЬКОГО РЕГУЛЮВАННЯ ТА ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ НАДІЙНОСТІ БАНКІВСЬКОЇ СИСТЕМИ УКРАЇНИ
Досліджено нормативно-правові аспекти банківського регулювання та забезпечення надійності банківської системи України, зокрема основні нормативи діяльності банків у системі заходів...
Управління ризиками у банківській сфері
Управління ризиками у банківській сфері
Управління ризиками є ключовою функцією в банківській сфері, оскільки банки постійно стикаються з різноманітними загрозами, що можуть вплинути на їх фінансову стабільність і репута...
Формирование границ раздела полупроводник-сера-переходный металл
Формирование границ раздела полупроводник-сера-переходный металл
Выполнены термодинамические расчеты при стандартных условиях химических реакций, протекающих при сульфидной пассивации поверхности элементарных полупроводников (Si, Ge), нитридов г...

Back to Top