Javascript must be enabled to continue!
Thermal phonon transport in silicon nanostructures
View through CrossRef
Transport des phonons dans les nanostructures de silicium
Lors de deux dernières décennies, la nano-structuration a permis une augmentation conséquente des performances thermoélectriques. Bien qu’à l’ origine le silicium (Si) ait une faible efficacité thermoélectrique, son efficacité sous forme de nanostructure, et notamment de nanofils, a provoqué un regain d’intérêt envers la conduction thermique au sein de ces nanostructures de Si. Bien que la conductivité thermique y ait été réduite de deux ordres de grandeur, les mécanismes de conduction thermique y demeurent flous. Une meilleure compréhension de ces mécanismes permettrait non seulement d’augmenter l’efficacité thermoélectrique mais aussi d’ouvrir la voie à un contrôle des phonons thermiques, de manière similaire à ce qui se fait pour les photons. L’objectif de ce travail de thèse était donc de développer une plateforme de caractérisation, d’étudier le transport thermique au sein de différentes nanostructures de Si et enfin de mettre en exergue la contribution du transport cohérent de phonons à la conduction thermique. Dans un premier temps, nous avons développé un système de mesure allant de pair avec une procédure de fabrication en salle blanche. La fabrication se déroule sur le site de l’institut de Sciences Industrielles et combine des manipulations chimiques, de la lithographie électronique, de la gravure plasma et du dépôt métallique. Le système de mesure est base sur la thermoreflectance : un changement de réflectivité d’un métal a une longueur d’onde particulière traduit un changement de température proportionnel. Nous avons dans un premier temps étudié le transport thermique au sein de simples membranes suspendues, suivi par des nanofils, le tout étant en accord avec les valeurs obtenues dans la littérature. Le transport thermique au sein des nanofils est bien diffus, à l’exception de fils de moins de 4 μm de long a la température de 4 K ou un régime partiellement balistique apparait. Une étude similaire au sein de structures périodiques 1D a démontré l’impact de la géométrie et l’aspect partiellement spéculaire des réflexions de phonons a basse température. Une étude sur des cristaux phononiques (PnCs) 2D a ensuite montré que même si la conduction est dominée par le rapport surface sur vole (S/V), la distance inter-trous devient cruciale lorsqu’elle est suffisamment petite. Enfin, il nous a été possible d’observer dans des PnCs 2D un ajustement de la conductivité thermique base entièrement sur la nature ondulatoire des phonons, réalisant par-là l’objectif de ce travail.
Title: Thermal phonon transport in silicon nanostructures
Description:
Transport des phonons dans les nanostructures de silicium
Lors de deux dernières décennies, la nano-structuration a permis une augmentation conséquente des performances thermoélectriques.
Bien qu’à l’ origine le silicium (Si) ait une faible efficacité thermoélectrique, son efficacité sous forme de nanostructure, et notamment de nanofils, a provoqué un regain d’intérêt envers la conduction thermique au sein de ces nanostructures de Si.
Bien que la conductivité thermique y ait été réduite de deux ordres de grandeur, les mécanismes de conduction thermique y demeurent flous.
Une meilleure compréhension de ces mécanismes permettrait non seulement d’augmenter l’efficacité thermoélectrique mais aussi d’ouvrir la voie à un contrôle des phonons thermiques, de manière similaire à ce qui se fait pour les photons.
L’objectif de ce travail de thèse était donc de développer une plateforme de caractérisation, d’étudier le transport thermique au sein de différentes nanostructures de Si et enfin de mettre en exergue la contribution du transport cohérent de phonons à la conduction thermique.
Dans un premier temps, nous avons développé un système de mesure allant de pair avec une procédure de fabrication en salle blanche.
La fabrication se déroule sur le site de l’institut de Sciences Industrielles et combine des manipulations chimiques, de la lithographie électronique, de la gravure plasma et du dépôt métallique.
Le système de mesure est base sur la thermoreflectance : un changement de réflectivité d’un métal a une longueur d’onde particulière traduit un changement de température proportionnel.
Nous avons dans un premier temps étudié le transport thermique au sein de simples membranes suspendues, suivi par des nanofils, le tout étant en accord avec les valeurs obtenues dans la littérature.
Le transport thermique au sein des nanofils est bien diffus, à l’exception de fils de moins de 4 μm de long a la température de 4 K ou un régime partiellement balistique apparait.
Une étude similaire au sein de structures périodiques 1D a démontré l’impact de la géométrie et l’aspect partiellement spéculaire des réflexions de phonons a basse température.
Une étude sur des cristaux phononiques (PnCs) 2D a ensuite montré que même si la conduction est dominée par le rapport surface sur vole (S/V), la distance inter-trous devient cruciale lorsqu’elle est suffisamment petite.
Enfin, il nous a été possible d’observer dans des PnCs 2D un ajustement de la conductivité thermique base entièrement sur la nature ondulatoire des phonons, réalisant par-là l’objectif de ce travail.
Related Results
Interfacial thermal conductance of gallium nitride/graphene/diamond heterostructure based on molecular dynamics simulation
Interfacial thermal conductance of gallium nitride/graphene/diamond heterostructure based on molecular dynamics simulation
<sec>Gallium nitride chips are widely used in high-frequency and high-power devices. However, thermal management is a serious challenge for gallium nitride devices. To improv...
Linear electron-phonon interaction in dye-doped polymers studied by femtosecond accumulated photon echo
Linear electron-phonon interaction in dye-doped polymers studied by femtosecond accumulated photon echo
The purpose of this research is to investigate the linear electron-phonon interaction in dye-doped polymers by using Fourier-transform spectroscopy based on femtosecond accumulated...
Thermal Effects in High Compactness CEA Stack
Thermal Effects in High Compactness CEA Stack
Thermal management is a pivotal aspect of stack durability and system operability. Consequently, understanding the thermal mapping within a stack based on its operating conditions ...
Study on the Thermal Transport Regulation at GaN/Graphene/Diamond Heterojunction Interfaces
Study on the Thermal Transport Regulation at GaN/Graphene/Diamond Heterojunction Interfaces
To study the heat dissipation performance of high-power gallium nitride devices, the thermal transport characteristics of GaN/graphene/diamond heterostructures were investigated at...
Synthesis and Characterization of Silicon and Germanium Nanocrystals and Titanium Disulphide Nanostructures
Synthesis and Characterization of Silicon and Germanium Nanocrystals and Titanium Disulphide Nanostructures
<p>This thesis is concerned with the synthesis and characterization of nanostructured materials in the solution, in particular silicon and germanium nanocrystals, their appli...
Phonon-assisted tunnelling
Phonon-assisted tunnelling
Abstract
This chapter discusses the roles of phonon-assisted tunnelling and, to a lesser extent, phonon scattering, in two related types of low-dimensional semicondu...
Thermal Simulation for Nanoscale FinFET Using First-Principles Nongray Phonon Boltzmann Transport Equation
Thermal Simulation for Nanoscale FinFET Using First-Principles Nongray Phonon Boltzmann Transport Equation
Abstract
In recent years, nanoscale devices, represented by the fin field-effect transistor (FinFET), have significantly enhanced computational performance while sim...
Probing the phonon mean free paths in dislocation core by molecular dynamics simulation
Probing the phonon mean free paths in dislocation core by molecular dynamics simulation
Thermal management is extremely important for designing high-performance devices. The lattice thermal conductivity of materials is strongly dependent on detailed structural defects...

